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内蔵SSD CFD EG1VNE【M.2./500GB/2020年3月モデル】  CSSD-M2M5GEG1VNE

    発送目安: 未定(入荷次第お届け)
    価格: 19800
    19,800円 (税込)
    送料無料

    価格・ポイント・在庫などは店頭と異なります

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商品コード:4988755052085

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2023年10月7日(土)~ 2023年10月31日(火)23:59
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商品説明

CFD エントリーモデル M.2 2280(NVMe) 採用 SSD (1TB、500GB)
優秀なコントローラーとキャッシュで、エントリーモデルでも高いスピードを発揮

■ 製品特長
・EG1VNEシリーズは、PCIe Gen3x4対応 カジュアルユース向けNVMe SSDです。Sequential Read Max 3400MB/s、Write Max 2000MB/s!(1TBモデル)

・Phison製 PS5012-E12S(E12のリファイン版)とMicron製3D QLC NAND、キャッシュ用にDDR3Lメモリ搭載しており、エントリーモデルながら高いパフォーマンスを発揮します。

・SSDの信頼性を高めるためにSmartECC"!やSmartRefresh"!を採用しました。

■ エントリーモデルながら高いパフォーマンス
高速転送のインターフェース PCI Express Gen.3 x4と、強力かつ優秀なSSDコントローラ、DDR3Lキャッシュメモリを搭載することで、
エントリークラスのSSDでも高いパフォーマンスを実現しました。
また、SATA SSDと比較して約5.8倍高速です。

QLCでもTLCと同等のハイスピードを実現
●ハイスピードの秘密1 「生まれ変わったE12コントローラ」
・2019年に注目されたPCI-Express Gen.3対応SSDコントローラPS5012-E12の第2世代E12SをエントリークラスSSDで採用。
・パフォーマンスを落とさず、コントローラ面積を約45%削減(16mm→12mm)。
・コントローラの熱対策にダイの上に放熱用のメタルプレートを装備。
・M.2-2280フォームファクタで搭載できるNANDチップ数増と3D QLCにも対応。

●ハイスピードの秘密2 「SLCキャッシュ+キャッシュ用DRAM」
・競合他社製(SMI製コントローラ+ 3D QLC採用)エントリーNVMe SSD*のSLCキャッシュ領域と比較し、領域を約2倍確保。
・ハイスピードをアシストするためにDDR3Lメモリをキャッシュ用に搭載。
* CFD社調べ

■ 安心&高品質 こだわりの構成パーツ
●PCIe Gen3x4 コントローラーPHISON PS5012-E12S
高速インターフェース PCIe Gen3をサポートした高性能コントローラーで、モバイルゲームコンピューティング、エンタープライズデータセンター、
ディープラーニングなど様々な分野で活躍しています。E12SはTSMC 28nmを利用して作られおり、最大 Seq Read 3,450 MB/s、Seq Write 3,150 MB/sを実現します。
(コントローラーの理論値です)

●Micron製3D NAND QLCを採用
Micron製 3D NAND Flash N28 は、単位面積当たりの記憶スペースを増やすため64層から96層に積層数を追加。
また、NANDフラッシュのスループットは667MT/sをサポート。2.5inch SATA SSDに標準的にサポートされているNANDフラッシュに比べて1.2~1.6倍高速です。

●高品質な10層基板を採用
M.2-2280のコンパクトな規格と高速処理を実現するため、高品質な10層の基盤(PCB)を採用。


■ 高いパフォーマンス、耐久性、信頼性
EG1VNEシリーズは搭載された様々な機能によって、高いパフォーマンス、耐久性、信頼性を発揮します。

Smart data processing
Smart Data Procesingとは、Read/Writeのパフォーマンスを空き容量に基づいて調整し、最適なパフォーマンスを発揮するファームウェアの機能です。
空き容量が多い場合はガベージコレクションを行う必要がなく、Read/Writeコマンドを継続実行することでパフォーマンスが加速します。
反対に、容量が少ない場合はメモリを解放するためにガベージコレクションを行うため、パフォーマンスが一時的に低下します。
 
Predict & Fetch
データの読み込み速度を向上するためにPredict & Fetch機能を搭載しています。
通常、SSDは1回データの読み取りを行うと次のコマンドを待機しますが、Predict & FetchはSSDにシーケンシャルリードコマンドを発行した際に、
自動的に次のコマンドが実行されることを期待し、事前にデータの準備を行います。
そのため、ホスト側はデータ受信するまでに長い時間を必要とせず高速にデータ処理が可能となります。
Smart Zip"!
NANDフラッシュにデータの書き込みを行うには時間が掛かりますが、圧縮技術SmartZip"!によって書き込み性能を向上させています。
圧縮せずに書き込むSSDと比較すると、書き込まれるデータが少なく済むため書き込み効率の向上と共にSSDの寿命(耐久性)も向上します。
Smart Reflesh"!
現在のエラー訂正コードの訂正能力には理論的な限界がありますが、Smart Reflesh"!は、「Dynamic Error Bit Monitoring」、「Read Retry」によってSSDの信頼性を向上させています。
「Dynamic Error Bit Monitoring」は、データ状態が破損する前にチェックをするためのメカニズムです。
適切なタイミングでデータをチェックし、しきい値を超えたエラーブロックに対して特別なアクション「Read Retry」を実行してユーザデータの整合性を取ります。
SLC Caching
PS5012-E12Sのファームウェアデザインは現在、動的キャッシングを採用。パフォーマンスを向上させています。
 
Thermal Throttling
サーマルスロットリングは、SSDのコンポーネントが過熱しすぎるのを防ぎます。PS5012-E12Sは、温度センサーを組み込んでおり、
SMART情報を介してSSDの保護・故障予防を効率的に管理します。


仕様:
スマホ版サイトは横にスクロールしてご確認いただけます。

仕様

型番 CSSD-M2M1TEG1VNE CSSD-M2M5GEG1VNE
JAN 4988755052078 4988755052085
容量 1 TB 500 GB
フォームファクター M.2-2280 (Single Side) M.2-2280 (Single Side)
インターフェース PCI Express 3.0 (x4) PCI Express 3.0 (x4)
プロトコル NVMe 1.3 NVMe 1.3
コントローラー Phison PS5012-E12S Phison PS5012-E12S
NANDフラッシュ Micron 3D QLC(4chips) 8CE Micron 3D QLC(2chips) 4CE
キャッシュメモリ DDR3L-256MB DDR3L-128MB
Sequential Read (Max) 最大 3400 MB/s 最大 2000 MB/s
Sequential Write (Max) 最大 2000 MB/s 最大 1000 MB/s
Random Read (Max) 最大 120K IOPS 最大 95K IOPS
Random Write (Max) 最大 500K IOPS 最大 250K IOPS
TBW 100 TBW 45 TBW
MTBF 180万 時間 180万 時間
保証期間 3年 3年
サポート Advanced Wear Leveling , Bad Block Management , TRIM , Over-Provision , Firmware Update , APST , ASPM , RoHS , Thermal Throttling, SmartECC™,SmartRefresh™ Advanced Wear Leveling , Bad Block Management , TRIM , Over-Provision , Firmware Update , APST , ASPM , RoHS , Thermal Throttling, SmartECC™,SmartRefresh™
備考 ※ヒートシンクの熱が放散されるよう、PCケース内のエアフローには十分ご注意ください。
※本製品の故障内容を問わず、ご使用機器本体のダメージや記録されたデータの破損または消失については責任を負いかねます。保証規定をお読みの上、ご利用ください。
※転送速度はCFD社にて確認した数値です。すべての環境おいて保証されるものではございません。
※製品の仕様・付属品などは予告なく変更される場合があります。
※ヒートシンクの熱が放散されるよう、PCケース内のエアフローには十分ご注意ください。
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